（1）最大均匀整流电流IF：指二极管长期工作时允许经过的最大正向均匀电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决议。运用时应留意经过二极管的均匀电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。

　　（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流（IR）剧增，二极管的单导游电性被毁坏，从而惹起反向击穿。通常取反向击穿电压（VB）的一半作为（VR）。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V

　　（3）最大反向电流IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单导游电性能的好坏。因而这个电流值越小，标明二极管质量越好。

　　（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。

　　（5）最高工作频率fm：它是二极管在正常状况下的最高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决议，若工作频率超越fm，则二极管的单导游电性能将不能很好地表现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。另有快恢复二极管用于频率较高的交流电的整流，如开关电源中。

　　（6）反向恢复时间trr：指在规则的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

　　（7）零偏压电容CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得留意的是，由于制造工艺的限制，即便同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数常常是一个范围，若测试条件改动，则相应的参数也会发作变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。

　　1）最大整流电流IFM

　　二极管在长期稳定工作时，允许经过的最大正向均匀电流。由于电流经过PN结要惹起管子发热，电流太大，发热量超越限度，就会使PN结烧坏，所以在实践应用时工作电流通常小于IFM。

　　2）最大可反复峰值反向电压VRRM

　　指所能反复施加的反向最顶峰值电压，通常是反向击穿电压VBR的一半。击穿时，反向电流剧增，二极管的单导游电性被毁坏，以至因过热而烧坏。

　　3）反向恢复时间Trr

　　当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，QST(矽睿)半导体IC传感器芯片 需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。Trr直接影响二极管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，Trr越小管子升温越小，效率越高。

　　4）结电容CJ

　　PN结高频等效电路，其中r表示结电阻，CJ表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果，它的大小除了与自身构造和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决议于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为反向电阻，其数值较大，结电容较小 （主要决议于势垒电容CB）。

　　5）正向电压降VF

　　二极管经过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。通常硅资料的二极管VF大于1V，锗资料、肖特基二极管为0.5V左右。

　　6）反向电流IR

　　指管子击穿时的反向电流，其值愈小，则管子的单导游电性愈好。反向电流IR与温度有亲密联络，温度越高，反向电流IR会急剧增加，所以在运用二极管时要留意温度的影响。

　　普通半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数，这是正确运用二极管的根据。在高频应用场所，要留意不要超越最大整流电流和最高反向工作电压的同时，还应特别留意二极管的最高工作频率（通常由反向恢复时间Trr和结电容CJ决议），否则电路工作不正常或者管子升温严重，影响牢靠性。

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