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- 发布日期：2024-06-15 07:45 点击次数：54
ZTX951PNP硅平面介质功率
大电流晶体管
4安培持续电流
最高15安培峰值电流
非常低的饱和电压
高达10安培的卓越增益
提供SPICE型号
绝对最大额定值。
参数符号值单位
集电极基极电压VCBO-100 V
集电极-发射极电压VCEO-60 V
发射极基极电压VEBO-6 V
峰值脉冲电流Icm-15 A
连续集电极电流IC-4 A
实际功耗*ptotp 1.58 W
Tamb=25°C时的功耗ptot 1.2 W
工作和储存温度范围tj:tstg-55至+200°C
*假设设备以典型方式安装在P.C.B.上，且铜至少等于1平方英寸，则可耗散的功率。
电气特性（除非另有说明，否则在环境温度=25°C时）
参数符号最小类型最大单位条件。
集电极基极击穿
电压
V（Br）CBO-100-140 V IC=-100微安
集电极-发射极击穿
沃尔塔格
V（Br）CER-100-140 V IC=-1微安，Rb≤1千欧
集电极-发射极击穿
电压
V（BR）CEO-60-90 V IC=-10 mA*
发射极基极击穿
电压
V（Br）EBO-6-8 V Ie=-100微安
集电极截止电流icbo-50- 1钠甲
VCB＝-80V
VCB=-80V，环境温度=100°C
集电极截止电流Icer
r小于1k- 50- 1钠甲
VCB＝-80V
VCB=-80V，环境温度=100°C
发射极截止电流iebo-10 na veb=-6V
集电极-发射极饱和
电压
VCE（SAT）- 15 - 60 - 120- 220- 50- 100- 160- 300中频
Ic=-100mA，Ib=-10mA*
Ic=-1a，Ib=-100mA*
Ic=-2a，Ib=-200mA*
Ic=-4a，Ib=-400毫安*
基极发射极
饱和电压
VBE（SAT）-960-1100 mV IC=-4a，IB=-400mA*
产品规格
QST(矽睿)半导体IC传感器芯片 arial; font-size: 18px; white-space: normal;">产品属性 属性值 搜索类似
制造商： Diodes Incorporated
产品分类： 双极晶体管 - BJT
RoHS指令： 细节
安装方式： 通孔
包装/案例： TO-92-3
晶体管极性： PNP
组态： 单
集电极 - 发射极电压VCEO Max： 60伏
集电极 - 基极电压VCBO： - 100 V
发射极 - 基极电压VEBO： - 6 V
最大直流集电极电流： 4 A.
增益带宽产品fT： 120 MHz
最低工作温度： - 55 C.
最高工作温度： + 150 C
系列： ZTX951
高度： 4.01毫米
长度： 4.77毫米
打包： 块
宽度： 2.41毫米
牌： Diodes Incorporated
连续收集器电流： - 4 A.
CNHTS： 8541210000
HTS代码： 8541210095
MXHTS： 85412101
Pd - 功耗： 1.2 W
产品类别： BJTs - 双极晶体管
工厂包装数量： 4000
类别： 晶体管
TARIC： 8541210000
单重： 0.015873盎司
电气特性（Tamb = 25°C）
PARAMETER SYMBOL MIN。TYP。MAX。 单位条件。
基射
开启电压
VBE（on）-850 -1000 mV IC = -4A，VCE = -1V *
静态转发
电流转移率
hFE 100 100 75 10 200 200 120 25 300
IC = -10mA，VCE = -1V *
IC = -1A，VCE = -1V *
IC = -4A，VCE = -1V *
IC = -10A，VCE = -1V *
转换频率fT 120 MHz IC = -100mA，VCE = -10V
F =50MHz的
输出电容Cobo 74 pF VCB = -10V，f = 1MHz 82 350 NS
IC = -2A，IB1 = -200mA
IB2 = 200mA，VCC = -10V
*在脉冲条件下测量。 脉冲宽度=300μs。 工作周期≤2％
热特性
PARAMETER SYMBOL MAX。 单元
热阻：连接到环境
案件的结合点