据日经新闻报导，在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时储存数据的DRAM价格连续2个月上涨，主因存储芯片厂商减产，缩减供应，而客户端接受厂商的涨价要求，且为了改善获利、据悉今后厂商将持续要求涨价。

2023年12月份DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.70美元左右，较前一个月份(2023年11月)上涨3%，容量较小的4Gb产品价格为每个1.30美元左右，较前一个月份上涨4%，价格皆为连续第2个月扬升。和去年同月相比，8Gb、4Gb价格皆下跌约1成。DRAM批发价格为内存厂商和客户间每个月或每季敲定一次。

报导指出，因各家内存厂商减产、市场过剩情况缓解，2023年11月DRAM批发价约2年半来首度呈现扬升。各家内存厂商为了改善获利，今后将持续要求涨价。

韩媒也有报道，SK海力士CEO在接收采访时被问到是否考虑放缓内存减产措施时，响应表示，「有可能会在Q1(2024年1-3月)变更DRAM的减产计划，而NAND Flash也可能会在上半年以后采取相同的措施(变更减产计划)」。其表示，「DRAM已出现复苏迹象、不过NAND Flash复苏速度较慢」。

威刚董事长陈立白也表示，目前上游减产计划不变，涨价态势强劲， 电子元器件采购网 不仅2023年第四季度NAND Flash调涨幅度与频率超乎预期，今年一季度也有涨价空间。DRAM方面，由于上游大幅缩减及调整产能，转至获利较高的DDR5与HBM，今年上半年DDR4也将率先出现供不应求、价格涨幅后来居上的局面。

台湾电子时报也报道，DRAM稼动率在缓步改善，业界认为，整体DRAM投片量从2024年第1季将逐季提升，较2023年第4季小幅提升约5%左右，下半年投片量回升速度将明显加快。

针对第一季价格趋势，TrendForce集邦咨询预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND Flash则是18-23%。虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023年第四季下旬，以及2024年第一季调升产能利用率，加上NAND Flash买方也早在第一季将陆续完成库存回补。因此，DRAM、NAND Flash第二季合约价季涨幅皆收敛至3~8%。

机构Gartner在上月发表预估报告指出，在内存有望出现2位数增长的推动下，预估2024年将是反弹之年、全球半导体营收预估将弹升至6,240亿美元、将年增17%。Gartner指出，2024年内存需求将呈现强劲复苏、营收预估将增长66.3%，其中2024年Flash Memory营收预估将增长49.6%、DRAM营收预估将增长88%。

审核编辑：黄飞

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