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GAL16V8D-15LD/883=5962-8983903RA军标号 军工集成芯片技术方案规格参数PDF资料
- 发布日期：2024-11-30 07:09 点击次数：77 GAL16V8D-15LD/883=5962-8983903RA军标号 军集 成芯片技术方案规格参数PDF资料
高性能E2CMOS®技术- 7.5 ns最大传播延迟- Fmax = 100 MHz- 从时钟输入到数据输出的最大值为6 ns- TTL兼容12 mA输出- UltraMOS®高级CMOS技术•从双极中减少50％的力量- 75mA Typ Icc•所有引脚上的主动上拉（GAL16V8D-7和GAL16V8D-10）•E2 细胞技术- 可重配置逻辑- 可重编程细胞- 100％测试/ 100％产量- 高速电擦除（<100ms）- 20年的数据保留•八个输出逻辑宏单元- 复杂逻辑设计的最大灵活性- 可编程输出极性- 还模拟具有全功能的20针PAL®器件/保险丝图/参数兼容性•所有储存器的PRELOAD和上电复位- 100％功能可测试性•申请包括：- DMA控制- 状态机控制- 高速图形处理- 标准逻辑芯片速度升级•用于识别的电子签名 GAL16V8 / 883是一款高性能E2CMOS可编程逻辑器件完全符合MIL-STD-883标准。这种军用级器件结合了高性能CMOS电可擦除工艺（E2）浮动门技术提供最高的速度/功率性能883合格的PLD市场。 GAL16V8D / 883，最大7.5ns传播延迟时间，是世界上最快的军事资格CMOS PLD。通用GAL架构提供了最大的设计灵活性通过允许配置输出逻辑宏单元（OLMC）由用户。 GAL16V8 / 883能够模拟所有标准20针PAL®器件，具有全功能/熔丝图/参数兼容性。独特的测试电路和可重新编程的单元可以完成制造过程中的交流， 电子元器件采购网 直流和功能测试。因此，莱迪思半导体提供100％的现场可编程性和所有GAL产品的功能。另外，100擦除/写入指定了超过20年的周期和数据保留期。
成品展示:
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GAL16V8D-15LJI
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