不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。为什么会有这种情况呢?问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。　　完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。　　器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。　　1　　后缀的用处　　忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说，后缀有以下这些用处：　　1、 区分细节性能　　比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。　　2、区分器件等级和工作温度　　比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度(民用级)，TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度(工业级)，其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。　　3、 区分器件封装形式　　比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封装，TL431CD代表的是SOIC封装，QST(矽睿)半导体IC传感器芯片 其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装(“C”代表温度，在上面已经解释)。　　4、区分订货包装方式　　比如，TI公司的基准电压芯片TL431 CD，如果要求是按盘装(2500PCS/盘)的采购，那么必须按TL431 CDR的型号下单，这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则，按TL431 CD下单，买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。　　5、区分有铅和无铅　　比如，ON公司的比较器芯片LM393D(“D”表示是SOIC封装)，如果要用无铅型号，必须按LM393DG下单，这里的后缀“G”就表示无铅型号，没这个后缀就是有铅型号。　　后缀可能还有其他特殊的用处，总之，后缀的信息不能省略，否则买回来的可能就不是你想要的物料。　　不同的公司的前缀和后缀可能是不同的(也有少数公司的一些前缀后缀一致)，这需要参考实际选用厂家的具体情况。　　2　　各国半导体元器件型号的命名方法　　中国半导体器件型号命名方法　　半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：　　部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。　　2：二极管;3：三极管　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。　　表示二极管时：A：N型锗材料;B：P型锗材料;C：N型硅材料;D：P型硅材料。　　表示三极管时：A：PNP型锗材料;B：NPN型锗材料; C：PNP型硅材料;D：NPN型硅材料。　　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。　　P：普通管;　　V：微波管;　　W：稳压管;　　C：参量管;　　Z：整流管;　　L：整流堆;　　S：隧道管;　　N：阻尼管;　　U：光电器件;　　K：开关管;　　X：低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W);　　G：高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W);　　D：低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W);　　A：高频大功率管(f >3MHz,Pc>1W);　　T：半导体晶闸管(可控整流器);　　Y：体效应器件;　　B：雪崩管;　　J：阶跃恢复管;　　CS：场效应管;　　BT：半导体特殊器件;　　FH：复合管;　　PIN：PIN型管;　　JG：激光器件。　　第四部分：用数字表示序号。　　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。　　日本半导体分立器件型号命名方法　　日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：　　部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。　　0：光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管;　　1：二极管;　　2：三极或具有两个pn结的其他器件;　　3：具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件;　　┄┄依此类推。　　第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。　　S：表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。　　第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。　　A：PNP型高频管;　　B：PNP型低频管;　　C：NPN型高频管;　　D：NPN型低频管;　　F：P控制极可控硅;　　G：N控制极可控硅;　　H：N基极单结晶体管;　　J：P沟道场效应管，如 2SJ—-　　K：N沟道场效应管，如 2SK—-　　M：双向可控硅。　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。　　两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大，越是近期产品。　　第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。　　A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。　　美国半导体分立器件型号命名方法　　美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：　　部分：用符号表示器件用途的类型。　　JAN：军级;　　JANTX：特军级;　　JANTXV：超特军级;　　JANS：宇航级;　　无：非军用品。　　第二部分：用数字表示pn结数目。　　1：二极管;　　2：三极管;　　3：三个pn结器件;　　n：n个pn结器件。　　第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。　　N：该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。　　第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。　　多位数字：该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。　　第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件的不同档别。如：　　JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管　　JAN：军级;　　2：三极管;　　N：EIA注册标志;　　3251：EIA登记顺序号;　　A：2N3251A档。　　国际电子联合会半导体器件型号命名方法　　德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：　　部分：用字母表示器件使用的材料。　　A：器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗;　　B：器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅;　　C：器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化镓;　　D：器件使用材料的Eg <0.6eV如锑化铟;　　E：器件使用复合材料及光电池使用的材料。　　第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。　　A：检波开关混频二极管;　　B：变容二极管;　　C：低频小功率三极管;　　D：低频大功率三极管;　　E：隧道二极管;　　F：高频小功率三极管;　　G：复合器件及其他器件;　　H：磁敏二极管;　　K：开放磁路中的霍尔元件;　　L：高频大功率三极管;　　M：封闭磁路中的霍尔元件;　　P：光敏器件;　　Q：发光器件;　　R：小功率晶闸管;　　S：小功率开关管;　　T：大功率晶闸管;　　U：大功率开关管;　　X：倍增二极管;　　Y：整流二极管;　　Z：稳压二极管。　　第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。　　三位数字：代表通用半导体器件的登记序号;　　一个字母加二位数字：表示专用半导体器件的登记序号。　　第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。　　A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。　　除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：　　1、稳压二极管型号的后缀。　　其后缀的部分是一个字母：表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;　　其后缀第二部分是数字：表示标称稳定电压的整数数值;　　后缀的第三部分是字母V，代小数点， 字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。　　2、整流二极管后缀是数字，表示器件的反向峰值耐压值，单位是伏特。　　3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出反向峰值耐压值和反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。　　欧洲早期半导体分立器件型号命名法　　欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：　　部分：O：表示半导体器件。　　第二部分：　　A：二极管;　　C：三极管;　　AP：光电二极管;　　CP：光电三极管;　　AZ：稳压管;　　RP：光电器件。　　第三部分：多位数字：表示器件的登记序号。　　第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。

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