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发光二极管和探测器IC的热阻测量
- 发布日期:2024-08-21 08:08 点击次数:174
本文将讨论小外形SO-5封装的测量过程和热性能报告。工艺中采用了符合JEDEC标准的低电导测试板。该试验是用ACPL-M43TSO-5光耦合器在静止空气中进行的,环境温度约为23℃。
发光二极管和探测器IC的热阻测量。
图1展示了组件框图。本发明采用线性叠加理论,考虑了相邻芯片对单个芯片的热效应,得到了一个多芯片封装方案。首先加热一个芯子,当达到热平衡时记录下所有芯子的温度。再加热另一个芯子,记录下所有芯子的温度。当环境温度已知, 电子元器件采购网 晶片耗电量较小时,可计算出热阻。热阻力计算采用矩阵形式。这就产生了一个2x2的矩阵,用于我们的两个热源。
SO5计量单位示意图
测热电阻数据
计量数据
该包装于低电导率测试板,按照JEDEC标准,尺寸为76.2mmx76.2mm。包装相对中空。共准备了两块低导电性的板进行测量。本试验用FR-4材料制作而成,铜线厚度符合JEDEC低导电板标准。在所有的板子上都用经过测试的好设备。所有热阻测量数据列于图2。
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