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- 发布日期：2024-01-10 17:01 点击次数：86
BFR93AE6327HTSA1
图像仅供参考
请参阅产品规格
编号：
726-BFR93AE6327HTSA1
制造商编号：
BFR93AE6327HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
Infineon Technologies
客户编号:
说明：
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
数据表:
BFR93AE6327HTSA1 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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库存量: 45,034
库存：
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× 限制装运
生产周期：
4 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1 倍数： 1
输入数量：
购买
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
剪切带
eel™ (+¥15.00)
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
剪切带/eel™ † 1 ¥3.4126 ¥3.41 10 ¥2.2826 ¥22.83 100 ¥1.3899 ¥138.99 1,000 ¥1.04186 ¥1,041.86 整卷卷轴（请按3000的倍数订购） 3,000 ¥0.79778 ¥2,393.34 9,000 ¥0.7571 ¥6,813.90 24,000 ¥0.73224 ¥17,573.76
† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩
× 包装选择
取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。
剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按3000的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
备用包装
制造商零件编号:
BFR 93A E6327
包装:
Reel, Cut Tape, eel
供货情况:
库存量
单价:
¥3.503
最小:
1
特色产品
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: 射频(RF)双极晶体管 RoHS: 详细信息 系列: BFR93 技术: Si 封装 / 箱体: SOT-23-3 资格: AEC-Q101 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: Infineon Technologies 产品类型: RF Bipolar Transistors 工厂包装数量: 工厂包装数量: 3000 子类别: Transistors 零件号别名: BFR 93A E6327 SP000011066 单位重量: 8 mg
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
显示类似项 已选择的属性: 0
工厂包装数量 ×
工厂包装数量 - 工厂通常发货的包装大小（注意：制造商可能会更改包装大小而不另行通知）。
以“工厂包装数量”的倍数订购对于我们的批量生产客户来说最有效。
在大部分情况下，非常乐意拆分“工厂包装数量”。 （请参见最低订货量和倍数以确认订购要求）
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数据表
BFR93AE6327HTSA1 数据表 (PDF)
Models
Infineon-RFTransistor-AWR_MWO_Design_Kit-SM-v02_10-EN (邮政) Infineon-RFTransistor-Keysight_ADS_Design_Kit-SM-v02_10-EN (邮政) PCB Footprints & Symbols - High Linearity Si- and SiGeC-Transistors for use up to 6 GHz - Altium - v1.0 (邮政) PCB Footprints & Symbols - High Linearity Si- and SiGeC-Transistors for use up to 6 GHz - Cadence - v1.0 (邮政) PCB Footprints & Symbols - High Linearity Si- and SiGeC-Transistors for use up to 6 GHz - Eagle - v1.0 (邮政) PCB Footprints & Symbols - High Linearity Si- and SiGeC-Transistors for use up to 6 GHz - Mentor - v1.0 (邮政) PCB Footprints and Symbols - BFR93A - High Linearity Si- and SiGeC-Transistor for use up to 6 GHz - ADS - v1.0 (邮政)
Other
Packaging:PG-SOT23-3-3 | BFR93AE6327HTSA1 (PDF)
Product Catalogs
Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)
SPICE Models
Infineon-RFTransistor-SPICE.lib-SM-v02_10-EN
显示所有
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产品合规性
CNHTS: 8541210000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541210075 JPHTS: 8541290100 KRHTS: 8541219000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 85412999 ECCN: EAR99
更多信息
英飞凌射频晶体管
英飞凌射频晶体管配有低噪声放大器和高线性晶体管。低噪声类别的器件采用的是硅双极技术。达 fT <20 GHz 的中等转变频率实现了易用性和稳定性。击穿电压可以安全支持 5V 的电源电压。这些晶体管适用于对高达 14 GHz 的 VHF/UHF 进行调幅（AM） 。
高线性晶体管提供 29 dBm 以上的 OIP3 (三阶交截点)。它们基于英飞凌出品的大容量硅双极和 SiGe:C 技术，实现了同类最佳的噪声系数。这些器件适用于驱动器、前置放大器和缓冲放大器。
适用于IoT应用的射频解决方案
英飞凌射频解决方案组合提供高性能的射频技术产品，用于在物联网应用中实现可靠的无线连接。物联网设备的数量正在飞速增长。同时，客户期望在产品设计和功能方面获得出色的用户体验。
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