晶闸 相关话题

脉冲电路是吸收能量的电路，用于减轻电路电感引起的电压尖峰。有时，组件会因过流、过压和过热而损坏。对于过流保护电路，我们有保险丝，对于过热，我们有散热器或风扇。缓冲电路用于限制电路切换时电压或电流(di/dt或dv/dt)的变化率和过压。缓冲电路是电阻器和电容器的串联，然后与诸如晶体管或晶闸管的开关连接，以保护和改善性能。开关和继电器之间的缓冲电路也可以用来防止电弧放电。在本项目中，我们将告诉您缓冲电路如何保护晶闸管免受过压或过流影响。整个电路由缓冲电路、晶闸管和555定时器频率产生电路组成。所

二极管 以硅（或锗）作为基板，将掺杂了磷和砷的Negative 型半导体（电子不足，空穴较多）和掺杂了硼和镓的Positive 型半导体（电子多余）结合在一起，就称为二极管（PN 结）。 二极管具有单向导电性（单向导通），因此具备整流作用，即让电流只朝一个方向运动。 三极管 三极管也称为双极性晶体管，全称叫做双极性结型晶体管，缩写为BJT，因为种具有三个终端，所以俗称为三极管。将P 型、N 型半导体做成三明治状从而形成NPN 结与PNP 结，中间的那层称为基级Base，两侧的称为发射级Emit

场效应管和晶闸管是电子电路中常用的开关型设备，但两者有本质差异。场效应管包括结型场效应管JFET和金属氧化物半导体场效应管MOSFET。晶闸管一般指可控硅，可控硅可分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。 什么是现场效应管。 这里主要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别是电网G、源S和漏D，其中电网G为控制端，源S和漏D为输出端。从半导体的构成可分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示 PMOS的基础是n型半导体，VGS0时形成p型槽，因此称为p型槽MOS的NMO

功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。电气特性二极管和晶闸管的电气特性随温度变化而变化，因此只有针对特定温度给出的电气特性才是有效的。除非另有说明，否则数据手册中的所有值均适用于40至60Hz的电源频率。最大值为制造商以绝对极限值形式给出