标题：onsemi安森美FGP5N60LS芯片IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3技术与应用介绍 安森美（onsemi）作为全球知名的半导体公司，其FGP5N60LS芯片IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片采用了先进的IGBT技术，具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点，适用于各种工业和家用电器中。 FGP5N60LS芯片IGBT FIELD STOP 600V 10A TO220-3的主要技术特
标题：onsemi安森美NGB8202NT4G芯片：IGBT 440V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8202NT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其规格为440V、20A、150W，封装为D2PAK。这款芯片在电力电子领域中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理和特性。IGBT是一种复合型半导体器件，兼具晶体管的电学特性和功率二极管的通态特性，具有开关速度快、电流容量大、热稳定性好等优点。NGB8202NT4G芯片
标题：onsemi安森美FGI3236-F085芯片：IGBT技术与应用详解 onsemi安森美FGI3236-F085芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，适用于各种电源应用场景。该芯片具有360V的电压耐受能力，可承受高达44A的电流，以及高达187W的功率输出，为各类电源系统提供了强大的驱动能力。 IGBT作为一种新型的功率半导体器件，具有开关速度快、热稳定性好、体积小等优点，在电源系统中的应用越来越广泛。FGI3236-F085芯片采用了先进的I2PAK封装技术，大大提高
标题：onsemi安森美HGT1S12N60A4DS芯片IGBT 600V 54A 167W D2PAK技术与应用详解 安森美（onsemi）是一家全球领先的半导体公司，其HGT1S12N60A4DS芯片IGBT是一款高性能的半导体器件，具有600V、54A和167W的出色性能。这款芯片采用D2PAK封装，具有高可靠性、低损耗和高效率等特点，广泛应用于各种电子设备中。 技术特点： 1. 600V高电压设计，能够承受较大的电压和电流负荷，适用于各种需要大功率传输的场合。 2. 54A的电流容量，
标题：onsemi安森美NGB8207NT4G芯片IGBT 365V 20A 165W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8207NT4G芯片IGBT是一款高性能的半导体功率器件，具有365V 20A的规格和高达165W的输出功率。它采用D2PAK封装，具有体积小、效率高、耐压高、电流大等特点，适用于各种电源和电机控制应用。 技术解析：NGB8207NT4G芯片IGBT采用了先进的栅极驱动技术，降低了驱动所需的电流和时间，提高了驱动的可靠性和效率。同时，它还采用了分立式热沉结构
标题：onsemi安森美NGD8205NT4芯片：IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体解决方案提供商，其NGD8205NT4芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。这款芯片具有390V的额定电压，可承受高达20A的电流，并且最大输出功率可达125W。其封装形式为DPAK，使其在应用上具有很高的灵活性和可靠性。 首先，我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型半导体器件，它结合了晶体管的开关特性和二极管的单
标题：onsemi安森美NGB8206NG芯片IGBT 390V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8206NG芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），具有390V、20A、150W的规格，封装为D2PAK，适用于各种电子设备的设计和应用。 技术解析：NGB8206NG芯片采用先进的半导体工艺技术制造，具有高耐压、大电流、低损耗和高开关速度等特性。其内部结构包括多个模块，每个模块都由多个IGBT晶体管组成，具有极高的效率和可靠性。此外，该芯片还具有自动
安森美发布全新的蓝牙低功耗和能量采集传感器屏蔽板
2024-10-19推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)发布了两款新型板(屏蔽板)，进一步扩展了其最近发布的物联网(IoT)开发套件(IDK)平台的功能。随着这两款搭载蓝牙低功耗技术和智能无源传感器(SPS)的新屏蔽板的推出，客户现在可以针对智能家居/楼宇、智慧城市、工业自动化和移动医疗应用打造多种多样的独特用例。 蓝牙低功耗屏蔽板配备最近推出且通过蓝牙5认证的RSL10多协议无线电系统单芯片(SoC)。凭借业内最低的深度睡眠电流和接收功耗，RSL10帮助制造商打造电池寿命更长的IoT
标题：onsemi安森美NGB8202NT4芯片：IGBT 440V 20A 150W D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美NGB8202NT4芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），其规格为440V 20A 150W D2PAK，广泛应用于各种电子设备中。这款芯片以其出色的性能和可靠性，在电力转换、电机驱动、逆变器等领域发挥着重要作用。 技术特点： 1. 高压设计：NGB8202NT4芯片采用440V的高压设计，能够承受较大的电压波动，适用于各种高电压场合。 2. 高速开关特