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Infineon 相关话题

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标题:Infineon IGW100N60H3FKSA1 600V 140A TO247-3 IGBT 技术与方案介绍 Infineon IGW100N60H3FKSA1是一款高性能的600V 140A TO247-3 IGBT,其出色的性能和特点使其在电力电子应用中具有广泛的应用前景。 技术特点: 1. 高压性能:该IGBT具有出色的高压性能,适用于各种高压应用场景,如不间断电源(UPS)和风力发电等。 2. 高速开关特性:该IGBT具有高速开关特性,能够快速导通和截止,有助于提高系统效率。
Infineon英飞凌IM241M6T2JAKMA1模块CIPOS MICRO参数详解及方案应用 一、模块CIPOS MICRO概述 Infineon英飞凌IM241M6T2JAKMA1模块CIPOS MICRO是一款高性能的嵌入式存储器模块,专为物联网应用设计。它集成了大容量存储器、控制器和接口,能够满足各种物联网设备的数据存储和处理需求。CIPOS MICRO模块具有高可靠性、低功耗、易于集成等优点,是物联网设备开发者的理想选择。 二、模块参数详解 1. 存储容量:模块CIPOS MICR
标题:Infineon(IR) IGB50N65H5ATMA1功率半导体IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。在这其中,Infineon(IR)的IGB50N65N65TAMA1功率半导体IGBT以其卓越的性能和解决方案,在众多领域中发挥着重要作用。 首先,我们来了解一下这款IGBT的特点。IGB50N65N65TAMA1是一款高性能的功率半导体器件,其工作频率高,能承受高电压和大电流。其开通和关断时间快,损
标题:Infineon品牌IKW75N65ES5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3技术详解与方案介绍 随着电子技术的飞速发展,半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon公司推出的IKW75N65ES5XKSA1半导体IGBT,以其独特的TRENCH 650V技术,实现了高效率、高可靠性以及低功耗的特性,为各类电子设备提供了强大的技术支持。 IKW75N65ES5XKSA1采用TO247-3封装,具有650V 650mA的额定值,实际可达到的电流
Infineon英飞凌FF1500R17IP5RBPSA1模块:PP IHM IXHP 1.7KV AG-PRIME的参数及应用方案 一、概述 Infineon英飞凌的FF1500R17IP5RBPSA1模块是一款高性能的PP IHM IXHP 1.7KV AG-PRIME模块,适用于各种高电压、高电流的应用场景。该模块具有卓越的电气性能和可靠性,为设计人员提供了丰富的功能和灵活性。 二、技术参数 1. 工作电压:DC 4.5V至16V; 2. 工作温度:-40℃至+85℃; 3. 存储温度:
标题:Infineon(IR) IGB30N60TATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IGB30N60TATMA1是一种高性能的功率半导体IGBT,适用于各种电源和电子设备。这款产品具有60A的电流容量和600V的额定电压,可提供高达187W的输出功率。其TO-263-3-2封装设计使得它在各种应用中都具有出色的热性能和机械稳定性。 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是一种复合型半导体器件,具有开关速度快、热稳定性好、驱动电压低等优点。IGB30N60TATMA1
标题:Infineon品牌IGW40T120FKSA1半导体IGBT 1200V 75A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon公司推出的IGW40T120FKSA1半导体IGBT,是一款适用于各种工业和电力电子应用的高性能产品。该器件采用TO247-3封装,具有1200V、75A的额定值,适用于中压逆变器、不间断电源(UPS)和电机驱动等应用场景。 技术特点: 1. 高压性能:该器件可在1200V电压下正常工作,具有出色的耐压性能,适用于各种高电压场合。 2. 电流容量大:75A的
标题:Infineon品牌ESD103B102ELE6327XTMA1静电保护芯片TVS二极管的技术与应用介绍 随着电子设备的普及,静电保护的需求也日益增长。在此背景下,Infineon公司推出的ESD103B102ELE6327XTMA1静电保护芯片,以其卓越的性能和可靠性,成为了业界的明星产品。 ESD103B102ELE6327XTMA1是一款高性能的TVS二极管,其最大反向电压为15V,最大钳位电压为48V,具有出色的静电保护性能。此外,其快速响应和瞬态抑制能力,使其在各种恶劣环境下都
标题:Infineon(IR) IKD04N60RATMA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 Infineon(IR)的IKD04N60RATMA1是一种IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率半导体,专为600V、8A的应用而设计。其采用TRENCH/FS结构,具有高耐压、低导通电阻等特性,是现代电力电子技术的重要组成部分。 二、技术特点 1. 高耐压:IKD04N60RATMA1具有较高的耐压值,适用于需要高电压大电流的场合。 2. 低导通电阻:该器件的导通电阻较低,有助于提高功率转换
标题:Infineon IGW25T120FKSA1 1200V 50A TO247-3 IGBT技术与应用方案介绍 Infineon IGW25T120FKSA1是一款高性能的1200V 50A TO247-3 IGBT,其技术特点和方案应用引人瞩目。这款产品采用先进的工艺技术,具有高耐压、大电流、低损耗、高可靠性等优点,适用于各种需要高效、节能、耐高压的电子设备。 首先,IGW25T120FKSA1具有出色的热性能和电气性能。其高电流能力使得它能以更高的效率处理更大的功率,同时其低损耗特性