场效应晶体管的基础电路设计知识
2024-06-18针对场效应管而言，在高校期内教师基础沒有讲，让自身通过自学。来到工作中的情况下，大家发觉场效应管运用還是较为普遍的。实际上场效应管和三极管還是很类似的。在许多运用中，乃至能够立即贴换三极管。 场效应晶体管（FieldEffectTransistor简称(FET)）通称场效应管。由大部分载流子参加导电性，也称之为单极型晶体管。它归属于电压操纵型集成电路工艺。具备输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪音小、功率低、动态范围大、便于集成化、沒有二次穿透状况、安全生产工作地区宽等优势，已经变成双极型
（BJT）晶体管NPN 100V 3A 175MHz 3W表面贴装SOT-223
2024-06-16产品概述 Digi-Key零件号ZXTN25100DGCT-ND 可用数量91,043 制造商零件编号ZXTN25100DGTA 描述TRANS NPN100V3ASOT223 制造商标准提前期18周 详细说明双极（BJT）晶体管NPN 100V 3A 175MHz 3W表面贴装SOT-223 文件和媒体 数据表ZXTN25100DG 环境信息RoHS认证 PCN设计/规范日期代码标记更新13 / Jan /2015 Bond Wire Chg 14/ Jun / 2016 Mult Devi
晶体管（bjt） - 单分立半导体产品600mA 150V 1.2W PNP
2024-06-16摘要 BVCEO -150V BVEBO -5V IC（续）= -600mA PD = 1.2W 辅助部件号ZXTN5551Z 描述 采用小外形表面贴装封装的高压PNP晶体管。 特征 150V额定值 SOT89封装 参数符号限制单位 集电极电压VCBO -160 V. 集电极 - 发射极电压VCEO -150 V. 发射极电压VEBO -5 V. 连续集电极电流（a）IC-600 mA 脉冲集电极电流ICM -2 A TA = 25°C时的功耗（a）PD 1.2 W 线性降额系数9.6 mW
PNP硅平面中等功率晶体管
2024-06-16产品规格 产品属性 属性值 搜索类似 产品分类： 双极晶体管 - BJT RoHS指令： 细节 安装方式： 通孔 包装/案例： TO-92-3 晶体管极性： PNP 组态： 单 集电极 - 发射极电压VCEO Max： -100V 集电极 - 基极电压VCBO： - 120 V 发射极 - 基极电压VEBO： - 5 V 集电极 - 发射极饱和电压： - 0.3 V 最大直流集电极电流： 1 A. 增益带宽产品fT： 150 MHz 最低工作温度： - 55 C. 最高工作温度： + 150
英特尔发布新的晶体管设计堆叠式架构
2024-04-275月24日消息，据ITFWorld2023会议报告，英特尔技术开发总经理AnnKelleher介绍了英特尔在关键领域的最新进展。其中之一便是介绍英特尔未来将采用的堆叠式CFET晶体管架构。这是英特尔首次向公众介绍这种新型晶体管设计。 英特尔的GAA设计堆叠式CFET晶体管架构是在imec的帮助下开发的，旨在增加晶体管密度。该设计通过将n和p两种MOSFET器件相互堆叠在一起，并允许堆叠8个纳米片（比RibbonFET使用的4个纳米片多一倍）来实现更高的密度。 目前，英特尔正在研究两种类型的CF
为什么要使用双极性晶体管驱动大功率LED
2024-03-08MOSFET半导体场效应晶体管的全称及其基本概念
2024-02-09MOSFET的全称及其基本概念 MOSFET，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种具有广泛应用领域的半导体器件。它的工作原理是基于金属氧化物半导体场效应，通过电压或电流的变化控制电流的通断，具有高速度、高频率、高可靠性、低功耗等优点，可广泛应用于电力电子、传感器、机电一体化等领域。 MOSFET的结构由金属层、氧化物层和半导体层依次组成，其中金属层与半导体层之间的接触面积决定了MOSFET的导通电流大小，而氧化物层则起到了调节半导体表面势垒的作用。根据氧化物层和半导体层的不同组合，可以分
三巨头掀起晶体管未来10年大革命
2024-01-20台积电正研究新的3D芯片架构CFET，可望解决当今最先进的纳米片技术存在的缩放问题。 据EETimes报道，全球芯片产业的三巨头英特尔、台积电和三星正在“认真”研究一种新的3D芯片架构，垂直堆叠式（CFET）场效晶体管架构可望解决当今最先进的纳米片技术持续存在的缩放（Scaling）问题。 这三大芯片制造商首次在去年12月的国际电子元件会议（IEDM）上发表演讲，暗示他们将在十年内实现CFET场效晶体管架构的商业化。 比利时微电子研究中心IMEC的CMOS元件专案总监NaotoHoriguch
碳纳米管晶体管兼容已有半导体制程工艺，解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
2024-01-06前不久，美国应用材料公司（Applied Materials）工艺整合工程师张子辰和合作者基于氮化硅薄膜的固态转移掺杂技术，开发出一种碳纳米管 N 型场效应晶体管，它能与晶体管的延伸区直接接触。相关论文以“Complementary carbon nanotube metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with localized solid-state extension doping”为题发表在《 Nature Electro
CFET将开启三维晶体管结构新纪元？
2024-01-05互补场效应晶体管（CFET）晶体管结构采用晶体管垂直堆叠结构，能够缓解关断状态下的漏电和晶体管阈值随栅长变化带来的问题，也使得晶体管能够在更小的空间内实现更佳的性能。下面来介绍CFET的技术进展以及未来的机遇与挑战。 在刚刚落下帷幕的2023年IEEE国际电子器件会议（IEDM2023）上，台积电、三星和英特尔各自秀出了在下一代晶体管结构领域的尖端技术。图中这款被称为“互补场效应晶体管（CFET）”的晶体管结构，被视为1nm以下制程的关键要素，是继FinFET和GAA之后的新一代的晶体管技术。