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GAL16V8D-15LD/883=5962-8983903RA军标号 军集成芯片技术方案规格参数PDF资料 高性能E2CMOS技术- 7.5 ns最大传播延迟- Fmax = 100 MHz- 从时钟输入到数据输出的最大值为6 ns- TTL兼容12 mA输出- UltraMOS高级CMOS技术从双极中减少50％的力量- 75mA Typ Icc所有引脚上的主动上拉（GAL16V8D-7和GAL16V8D-10）E2 细胞技术- 可重配置逻辑- 可重编程细胞- 100％测试/ 100％产量-