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SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，并且在器材制造时能够在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器材材料。 用于功率器材制造，4H-SiC 为适宜。 2. 功率器材的特征 高耐压功率器材的阻抗首要由该漂移层的阻抗组成，因此选用SiC能够得到单位面积导通电阻十分低的高耐压器材。 而Si材料中，为了改善随同高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，首要选用如IGBT（Insulated Gat