晶圆大厂格芯今天宣布，其基于其22nm FD-SOI 平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。而公司正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。格芯进一步指出，此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。 据格芯介绍，他们的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash)，帮助设计人员扩展现有物联网和微控制器单元架构，以实现28nm以下技术节点的功率和

前不久，DigiTimes在一份汇报中称，三星3nm工艺批量生产時间将会延期至2022年。 三星原计划2021年初批量生产3nm，但受肺炎疫情危害，三星预估時间将会延期至2022年，业界内部人士强调，这并不是工艺生产制造上的延迟时间，只是由于EUV光刻技术等主要设备在货运物流上的延迟时间引发。 三星早在上年就公布了3nmGAE工艺，将在3nm连接点舍弃FinFET三极管，转为GAA围绕栅极三极管工艺，比7nm工艺，3nmGAE工艺称为可将关键总面积降低45%，功率减少50%，特性提高35%。